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更新时间：2026-05-25
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| 品牌 | 其他品牌 | 线宽 | 0.25um |
|---|---|---|---|
| 打印速率 | 18 mm2/h | 样品台XY双向重复定位精度 | ≤ 120 nm |
| 小移动步距 | ≤ 50 nm | 相邻曝光区域拼接 | ≤ 150 nm |
无掩模紫外激光直写系统
该系统可用于微纳结构的高精度图形加工，实现亚微米级分辨率与高精度定位能力。兼具大面积图形加工能力与亚微米级精度保证。应用于微型显示芯片等光电器件的研发，以及钙钛矿等氛围敏感材料的测试场景，其超紧凑体积可实现手套箱恒定氛围内使用。
无掩模紫外激光直写系统主要特点
通过专用软件完成微纳结构设计，系统自动将图形数据转换为控制指令，简化打印流程。
紫外激光束经声光调制器和高精度振镜系统协同调制，通过高数值孔径(NA)物镜精准聚焦至光刻胶表面，确保曝光质量。
激光束沿预设路径执行高速、高精度的逐点扫描曝光，实现亚微米级分辨率的稳定控制。
设备体积小巧，可灵活置入手套箱内，在恒定氛围环境中稳定运行，满足钙矿等氛围敏感材料的研发与测试需求。
规格参数
| 打印参数 | ||
| 参数项 | 核心指标 | |
| 最小特征尺寸XY | 250 nm | |
| 最小等间距线栅 | 560 nm | |
| 打印速率 | 18 mm²/h | |
| 曝光面积 | ≥ 0.25 mm × 0.25 mm (单次加工范围，支持拼接实现更大图形) | |
| 相邻曝光区域拼接 | ≤ 150 nm | |
| 系统参数 | ||
| 参数项 | 核心指标 | |
| 样品台XY双向重复定位精度 | ≤ 120 nm | |
| 最小移动步距 | ≤ 50 nm | |
| 打印范围(XY) | 48 × 48 mm² | |
| 基底类型 | 载玻片/圆晶片 | |
| 基片厚度 | 0 – 4.5 mm | |
| 样品尺寸 | 5 × 5 mm² to 48 × 48 mm² (可按需求定制) | |
| 隔振(可选) | 平台尺寸 ≥ 400 × 30 mm； 带宽1~200 Hz 效率 >90% @ 5 Hz，90%~99% @10 Hz | |
| 光源 | 405 nm | |
| 长 × 宽 × 高 (仅限光刻单元) | 463 × 160 × 535 mm³ | |
| 重量 (仅限光刻单元) | 12 kg(背包级) | |
| 供电 | 230 VAC ±5 %，50/60 Hz, 16 A | |
应用场景
微纳材料与器件原型制备
适用于量子点、功能薄膜、微电 极及微纳光电器件样品的高分辨 图形化加工。
微光学与衍射功能结构
适用于衍射光学元件（DOE）、周期/非 周期微结构、功能表面纹理及微光学原 型的高精度制备。
科研样品快速制备与工艺验证
面向高校、科研院所及企业研发部门， 支持微纳结构样品的快速制备、参数 优化与实验验证。
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