紫外激光直写光刻机

一、核心原理：无掩模直写，高精度可控曝光

系统采用405nm 紫外激光为光源，结合声光调制器与高精度振镜协同控制，经高数值孔径物镜聚焦至光刻胶表面；通过专用软件导入设计图形，直接转化为激光扫描轨迹，逐点完成高精度曝光，全程无需掩模，大幅缩短研发周期、降低打样成本。

二、核心优势：精度、幅面、适配性三位一体

1. 超高加工精度，亚微米级稳定输出

• 最小线宽：0.25μm（250nm），满足微纳结构分辨率需求。

• 定位精度：XY 双向重复定位精度≤120nm，最小移动步距≤50nm。

• 拼接精度：相邻曝光区域拼接误差≤150nm，大面积加工无明显接缝。

2. 大面积加工，兼顾效率高

最大加工范围可达48×48mm²，支持全域连续图形制备；通过精密拼接技术，平衡大幅面加工与亚微米级精度，适配微型显示芯片等大面积光电器件研发。

3. 超紧凑设计，适配手套箱惰性环境

机身一体化集成，体积小巧，可直接放入手套箱内，在氮气、氩气等恒定惰性氛围中运行，有效隔绝水汽、氧气干扰，适配钙钛矿、二维材料等氛围敏感材料的加工与测试场景。

4. 灵活高效，适配多场景研发需求

专用操作软件支持图形自由设计、修改与导入，兼容 GDS 等常用格式；支持多种曝光模式，兼顾科研小批量打样与中试小批量生产，无需额外掩模制作，显著缩短研发周期。

三、核心技术参数

四、典型应用场景

1. 光电器件研发：微型显示芯片、LED、光电探测器、微透镜阵列等微纳结构图形化制备。

2. 敏感材料研究：钙钛矿、二维材料、量子点等氛围敏感材料的器件原型制备与工艺验证。

3. MEMS 与传感器：微机电系统、微电极、微流控芯片的高精度图形加工。

4. 先进封装：半导体先进封装重分布层（RDL）、凸块（Bumping）等环节图案化。